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题名: 超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础
作者: 刘以暠,冯世琴
刊名: 电子技术应用
出版日期: 1991
期号: 2, 页码:37-40
关键词: NMOS ; 场效应晶体管 ; 场效应管 ; 反相器 ; 三态逻辑 ; 强型 ; 夹断电压 ; 电路功能 ; 自建电场 ; 等离子体淀积
中文摘要: <正> 2.1 增强型与耗尽型NMOS晶体管NMOS集成电路中最小单元是两种场效应晶体管,即增强型和耗尽型NMOS场效应管,分别简称为NMOS(E)和NMOS(D),其符号和结构如图2.1所示。
收录类别: CNKI
语种: 中文
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.radi.ac.cn/handle/183411/37338
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超大规模集成电路设计基础第二讲NMOS集成电路基础.pdf(313KB)----开放获取View 联系获取全文

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刘以暠,冯世琴.超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础,电子技术应用,1991,(2):37-40
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