中国科学院遥感与数字地球研究所机构知识库
Advanced  
RADI OpenIR  > 中文期刊论文  > 期刊论文
题名: 超大规模集成电路设计基础 第三讲 NMOS VLSI的结构特性
作者: 刘以暠,冯世琴
刊名: 电子技术应用
出版日期: 1991
期号: 3, 页码:36-40
关键词: NMOS VLSI ; 多层布线 ; 扩散层 ; 反相器 ; 简化结构 ; 拓扑结构 ; 扩散区 ; 导通电阻 ; 逻辑电路 ; 三维立体结构
中文摘要: <正> 3.1 NMOS VLSI拓扑结构NMOS集成电路是多层布线的三维立体结构,整个电路完全由各层特定宽度的线条构成。一条扩散层线条与一条多晶层线条相交叉,即形成一MOS 管。故电路中的连接线占芯片结构的绝大部分面积。因此VLSI芯片设计中,多层布线的技术对简化结构,缩小面积、提高集成度就十分重要;而它所含元器件——MOS管的数量多少,相对来说就显得不很重要了。
收录类别: CNKI
语种: 中文
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.radi.ac.cn/handle/183411/37341
Appears in Collections:中文期刊论文_期刊论文

Files in This Item:
File Name/ File Size Content Type Version Access License
超大规模集成电路设计基础第三讲NMOSVLSI的结构特性.pdf(427KB)----开放获取View 联系获取全文

Recommended Citation:
刘以暠,冯世琴.超大规模集成电路设计基础 第三讲 NMOS VLSI的结构特性,电子技术应用,1991,(3):36-40
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[刘以暠,冯世琴]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[刘以暠,冯世琴]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
文件名: 超大规模集成电路设计基础第三讲NMOSVLSI的结构特性.pdf
格式: Adobe PDF
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace