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题名: 超大规模集成电路设计基础 第十讲 超高速砷化镓集成电路介绍
作者: 刘以暠,冯世琴
刊名: 电子技术应用
出版日期: 1991
期号: 10, 页码:40-42
关键词: 砷化镓集成电路 ; 电子迁移率 ; 场效应管 ; 数字集成 ; MESFET ; 半导体集成电路 ; 夹断电压 ; 截止状态 ; 与非门 ; 输出级
中文摘要: <正> 10.1 概述近十年来,数字集成技术在高速和高集成度两个方面的发展十分迅速。由于计算机和数字通信等发展的强烈需求,使超高速集成逻辑成为数字集成技术发展的一个重要前沿,目前认为,砷化镓(GaAs)半导体集成电路,是最有前途的。在第一讲中已经提到,GaAs 材料中的电子迁移率很高,有效质量只是硅材料中电子的7%。GaAs 场效应管(FET)沟道中的电子迁移率要比硅FET 管高
收录类别: CNKI
语种: 中文
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.radi.ac.cn/handle/183411/37342
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刘以暠,冯世琴.超大规模集成电路设计基础 第十讲 超高速砷化镓集成电路介绍,电子技术应用,1991,(10):40-42
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